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IRG4BC30KD 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 NSF

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  • 廠家型號：

    IRG4BC30KD

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    NS

  • 庫存數(shù)量：

    175

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-220

  • 生產(chǎn)批號：

    23+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-31 13:00:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號：IRG4BC30KD品牌：NS

全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨

  • 芯片型號：

    IRG4BC30KD

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    IRF詳情

  • 廠商全稱：

    International Rectifier

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    10 頁

  • 文件大小：

    196.13 kb

  • 資料說明：

    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    IRG4BC30KDPBF

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.7V @ 15V，16A

  • 開關(guān)能量：

    600μJ（開），580μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    60ns/160ns

  • 測試條件：

    480V，16A，23 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220AB

  • 描述：

    IGBT 600V 28A 100W TO220AB

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市安富世紀(jì)電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    陳嘉嘉

  • 手機(jī)：

    18938923845

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83137789

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號華強(qiáng)廣場A棟17e

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