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IRG4BC30KDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Short Circuit Rated UltraFast 1GBT

Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C, VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed ?tighterparameterdistributionandhigherefficiencythan previousgenerations ?IGBTco-packag

IRF

International Rectifier

IRG4BC30KDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

IRF

International Rectifier

IRG4BC30KDPBF

Package：TO-220-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 28A 100W TO220AB

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4BC30KDPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

IRF

International Rectifier

IRG4BC30KDS

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A)

Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed ?tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMul

IRF

International Rectifier

IRG4BC30KD-S

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A)

Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed ?tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMul

IRF

International Rectifier

IRG4BC30KD-SPBF

INSUKATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed ?tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMul

IRF

International Rectifier

IRG4BC30KD-SPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFRRECOVERYDIODE

IRF

International Rectifier

IRG4BC30KD-STRR

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A)

Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed ?tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMul

IRF

International Rectifier

IRG4BC30KPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

ShortCircuitRatedUltraFastIGBT

IRF

International Rectifier

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IRG4BC30KDPBF

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.7V @ 15V，16A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    600μJ（開(kāi)），580μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    60ns/160ns

  • 測(cè)試條件：

    480V，16A，23 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220AB

  • 描述：

    IGBT 600V 28A 100W TO220AB

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IR
23+
TO-220
20540
保證進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一賠十
 詢價(jià)
IR
2020+
TO-220
9600
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存 本公司只做原裝 可
 詢價(jià)
INFINEON/IR
1907+
NA
3900
20年老字號(hào),原裝優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨
 詢價(jià)
Infineon(英飛凌)
23+
TO-220
942
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
20+
to-220
1000
進(jìn)口原裝支持含稅
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
21+
TO-220
6000
原裝正品
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
24+
TO-220
530
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價(jià)
INFINEON
18+
TO-220
1380
原裝庫(kù)存有訂單來(lái)談優(yōu)勢(shì)
 詢價(jià)
IR
22+
TO-220
9800
只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨!
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
2021+
TO-220
9000
原裝現(xiàn)貨,隨時(shí)歡迎詢價(jià)
 詢價(jià)
更多IRG4BC30KDPBF供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-28 10:15:00

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