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IRG4BC30KD-STRR

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)

Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed ?tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMul

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IRG4BC30KPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

ShortCircuitRatedUltraFastIGBT

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IRG4BC30KPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A)

IRF

International Rectifier

IRG4BC30KS

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A)

Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C, VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed ?Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevious

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IRG4BC30K-S

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A)

Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C, VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed ?Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevious

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IRG4BC30K-S

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A)

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International Rectifier

IRG4BC30K-SPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORShortCiruitRatedUltraFastIGBT

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORShortCiruitRatedUltraFastIGBT Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C VGE=15V ?Conbineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed ?Latestgenerationdesignprovidest

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IRG4BC30S

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.4V,@Vge=15V,Ic=18A)

Features ?Standard:optimizedforminimumsaturation voltageandlowoperatingfrequencies(

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IRG4BC30S

FitRate/EquivalentDeviceHours

IRF

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IRG4BC30SPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A)

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IRG4BC30KD-STRR

  • 功能描述：

    IGBT W/DIODE 600V 28A RGHT D2PAK

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    30

  • 系列：

    GenX3™ IGBT

  • 類型：

    PT 電壓 -

  • 集電極發(fā)射極擊穿（最大）：

    1200V Vge,

  • Ic時的最大Vce（開）：

    3V @ 15V，100A 電流 -

  • 集電極(Ic)（最大）：

    200A 功率 -

  • 最大：

    830W

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    PLUS247?-3

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
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Infineon Technologies
21+
D2PAK
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100%進(jìn)口原裝!長期供應(yīng)!絕對優(yōu)勢價格(誠信經(jīng)營)!
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TO-263
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Infineon
22+
NA
2118
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TO-263
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一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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Infineon Technologies
24+
原裝
5000
原裝正品,提供BOM配單服務(wù)
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Infineon Technologies
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D2PAK
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全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
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22+
D2PAK
6000
終端可免費(fèi)供樣,支持BOM配單
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Infineon Technologies
23+
原裝
8000
只做原裝現(xiàn)貨
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Infineon Technologies
23+
原裝
7000
詢價
更多IRG4BC30KD-STRR供應(yīng)商 更新時間2025-1-23 9:02:00

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