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IRG4BC30K-S	文件：161.85 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A) Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C, VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed ?Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevious	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30K-S	文件：263.29 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30K-SPBF	文件：271.3 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Ciruit Rated UltraFast IGBT INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORShortCiruitRatedUltraFastIGBT Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol tsc=10μs,@360VVCE(start),TJ=125°C VGE=15V ?Conbineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed ?Latestgenerationdesignprovidest	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30K-S_04	文件：263.29 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30S	文件：161.89 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.4V,@Vge=15V,Ic=18A) Features ?Standard:optimizedforminimumsaturation voltageandlowoperatingfrequencies(	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30S	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30SPBF	文件：288.11 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30SPBF	文件：263.29 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.21V,@Vge=15V,Ic=16A)	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30SS	文件：152.77 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORStandardSpeedIGBT(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.4V,@Vge=15V,Ic=18A) Features ?Standard:optimizedforminimumsaturationvoltageandlowoperatingfrequencies(	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30S-S	文件：152.77 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORStandardSpeedIGBT(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.4V,@Vge=15V,Ic=18A) Features ?Standard:optimizedforminimumsaturationvoltageandlowoperatingfrequencies(	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30S-S	文件：204.24 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORStandardSpeedIGBT(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.4V,@Vge=15V,Ic=18A) Features ?Standard:optimizedforminimumsaturationvoltageandlowoperatingfrequencies(	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30S-SPBF	文件：212.25 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORStandardSpeedIGBT Features ?Standard:optimizedforminimumsaturationvoltageandlowoperatingfrequencies(	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30U	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30U	文件：167.86 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.95V,@Vge=15V,Ic=12A) Features ?UltraFast:optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 ?IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits ?Gener	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30UD	文件：234.03 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.95V,@Vge=15V,Ic=12A) Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30UD	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30UDPBF	文件：279.96 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODEUltraFastCoPackIGBT Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30UDPBF	文件：386.87 Kbytes Page：10 Pages	ULTRAFASTCOPACKIGBT	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30UPBF	文件：312.26 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRG4BC30UPBF	文件：587.53 Kbytes Page：8 Pages	UltraFastSpeedIGBT Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHzinhardswitching,>200 kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 ?IndustrystandardTO-220ABpackage ?Lead-Free Bene	IRF International Rectifier	IRF

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRG4BC30K-S
功能描述：
IGBT UFAST 600V 28A D2PAK
RoHS：
否
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路
系列：
-
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
30
系列：
GenX3™ IGBT
類型：
PT 電壓 -
集電極發(fā)射極擊穿（最大）：
1200V Vge,
Ic時(shí)的最大Vce（開）：
3V @ 15V，100A 電流 -
集電極(Ic)（最大）：
200A 功率 -
最大：
830W
輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-247-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
PLUS247?-3
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市納艾斯科技有限公司	IRG4BC30K-S	IR	2020+	TO-263	8000	只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增	詢價(jià)
深圳市珩瑞科技有限公司	IRG4BC30K-S	IR	21+	TO-263	6000	原裝正品	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	IRG4BC30K-S	IR	2021+	TO-263	9000	原裝現(xiàn)貨,隨時(shí)歡迎詢價(jià)	詢價(jià)
深圳市聯(lián)世界科技有限公司（原深創(chuàng)輝科技）	IRG4BC30K-S	IR	2008+		1100	原裝正品長期供貨，如假包賠包換徐小姐13714450367	詢價(jià)
深圳市昌和盛利電子有限公司	IRG4BC30K-S	IR	23+	TO-263	35890		詢價(jià)
深圳市弘為電子有限公司	IRG4BC30K-S	IR	16+	原廠封裝	150	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IRG4BC30K-S	IR	24+	TO263	9300		詢價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	IRG4BC30K-S	IR	23+	原廠原裝	6000	全新原裝	詢價(jià)
深圳市恒創(chuàng)達(dá)實(shí)業(yè)有限公司	IRG4BC30K-S	IR	17+	TO-263	6200	100%原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市鵬和科技有限公司	IRG4BC30K-S	IR	24+	TO-263	5000	全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨	詢價(jià)

更多IRG4BC30K-S供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-15 22:30:00

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