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IRG4PC50UD-MP

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 55A 200W TO247AC

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

G4PC50F

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.45V,@Vge=15V,Ic=39A)

VCES=600V VCE(on)typ.=1.45V @VGE=15V,IC=39A Features ?Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 ?Industrystandard

IRF

International Rectifier

G4PC50FD

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.45V,@Vge=15V,Ic=39A)

VCES=600V VCE(on)typ.=1.45V @VGE=15V,IC=39A Features ?Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 ?IGBTco-packa

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G4PC50U

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.65V,@Vge=15V,Ic=27A)

VCES=600V VCE(on)typ.=1.65V @VGE=15V,IC=27A Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 ?Industrystan

IRF

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G4PC50UD

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.65V,@Vge=15V,Ic=27A)

VCES=600V VCE(on)typ.=1.65V @VGE=15V,IC=27A Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 ?IGBTco-pack

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G4PC50W

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)max.=2.30V,@Vge=15V,Ic=27A)

Features ?DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC (powerfactorcorrection)applications ?Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies ?50reductionofEoffparameter ?LowIGBTconductionlosses ?Latest-generationIGBTdesign

IRF

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IRG4PC50F

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.45V,@Vge=15V,Ic=39A)

VCES=600V VCE(on)typ.=1.45V @VGE=15V,IC=39A Features ?Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 ?Industrystandard

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IRG4PC50F

FitRate/EquivalentDeviceHours

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IRG4PC50FD

FitRate/EquivalentDeviceHours

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IRG4PC50FD

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.45V,@Vge=15V,Ic=39A)

VCES=600V VCE(on)typ.=1.45V @VGE=15V,IC=39A Features ?Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). ?Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 ?IGBTco-packa

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IRG4PC50UD-MP

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    HEXFRED?

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，27A

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247AC

  • 描述：

    IGBT 600V 55A 200W TO247AC

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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