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IRG4PH40KPBF

Short Circuit Rated UltraFast IGBT

Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10μs,VCC=720V,TJ=125°C, VGE=15V ?Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed ?Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevious g

IRF

International Rectifier

IRG4PH40KPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

IRF

International Rectifier

IRG4PH40KPBF

Package：TO-247-3；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1200V 30A 160W TO247AC

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRG4PH40KPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

IRF

International Rectifier

IRG4PH40MD

FitRate/EquivalentDeviceHours

IRF

International Rectifier

IRG4PH40SD

FitRate/EquivalentDeviceHours

IRF

International Rectifier

IRG4PH40U

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=1200V,Vce(on)typ.=2.43V,@Vge=15V,Ic=21A)

Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperating frequenciesupto40kHzinhardswitching, >200kHzinresonantmode ?NewIGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan previousgenerations ?Optimizedforpowerconversion;SMPS,UPS and

IRF

International Rectifier

IRG4PH40UD

FitRate/EquivalentDeviceHours

IRF

International Rectifier

IRG4PH40UD

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=1200V,Vce(on)typ.=2.43V,@Vge=15V,Ic=21A)

Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperating frequenciesupto40kHzinhardswitching, >200kHzinresonantmode ?NewIGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan previousgenerations ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ult

IRF

International Rectifier

IRG4PH40UDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIDDE

Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperating frequenciesupto40kHzinhardswitching, >200kHzinresonantmode ?NewIGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan previousgenerations ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ult

IRF

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IRG4PH40KPBF

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    3.4V @ 15V，15A

  • 開關能量：

    730μJ（開），1.66mJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    30ns/200ns

  • 測試條件：

    960V，15A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-247AC

  • 描述：

    IGBT 1200V 30A 160W TO247AC

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IRG4PH40KPBF供應商 更新時間2025-2-1 14:03:00

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