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IRG4PH40UD2-EP分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRG4PH40UD2-EP
廠商型號

IRG4PH40UD2-EP
參數(shù)屬性

IRG4PH40UD2-EP 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 1200V 41A TO247AD
功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
文件大小

240.21 Kbytes
頁面數(shù)量

11 頁
生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-1-5 17:10:00

IRG4PH40UD2-EP規(guī)格書詳情

Features

? UltraFast IGBT Optimized for high operating

frequencies up to 200 kHz in resonant mode

? IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,

ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in

bridge configurations

? Industry standard TO-247AC package with extended leads

? Lead-Free

Benefits

? Higher switching frequency capability than

competitive IGBTs

? Highest efficiency available

? HEXFRED diodes optimized for performance with

IGBTs . Minimized recovery characteristics require

less / no snubbing

Applications

? Induction cooking systems

? Microwave Ovens

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IRG4PH40UD2-EP

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    3.1V @ 15V，21A

  • 開關(guān)能量：

    1.95mJ（開），1.71mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    22ns/100ns

  • 測試條件：

    800V，21A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-247AD

  • 描述：

    IGBT 1200V 41A TO247AD

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IR
23+
TO247
90000
一定原裝房間現(xiàn)貨
 詢價
IR
23+
TO-247
20540
保證進口原裝現(xiàn)貨假一賠十
 詢價
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TO247
68900
原包原標簽100%進口原裝常備現(xiàn)貨!
 詢價
INFINEON/英飛凌
24+
TO-247
47
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價
IR
24+
TO-247-3
42
詢價
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19+
TO-247
75139
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠；
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TO247
11260
誠信經(jīng)營!進口原裝!量大價優(yōu)!
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只做原裝假一賠十
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22+
TO-247
9000
原裝正品
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DIPSOP
65300
一級代理/放心購買!
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