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IRG7PH30K10DPBF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
![IRG7PH30K10DPBF](https://oss.114ic.com/img3w/pdf141156.png)
廠商型號 |
IRG7PH30K10DPBF |
參數(shù)屬性 | IRG7PH30K10DPBF 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 30A 180W TO247AC |
功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
封裝外殼 | TO-247-3 |
文件大小 |
442.4 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
10 頁 |
生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
企業(yè)簡稱 |
IRF |
中文名稱 | International Rectifier官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-2-10 10:52:00 |
IRG7PH30K10DPBF規(guī)格書詳情
Features
? Low VCE (ON) Trench IGBT Technology
? Low switching losses
? 10 μS short circuit SOA
? Square RBSOA
? 100 of the parts tested for ILM
? Positive VCE (ON) Temperature co-efficient
? Ultra fast soft Recovery Co-Pak Diode
? Tight parameter distribution
? Lead Free Package
Benefits
? High Efficiency in a wide range of applications
? Suitable for a wide range of switching frequencies due to Low VCE (ON) and Low Switching losses
? Rugged transient Performance for increased reliability
? Excellent Current sharing in parallel operation
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
IRG7PH30K10DPBF
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
溝道
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2.35V @ 15V,9A
- 開關(guān)能量:
530μJ(開),380μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:
14ns/110ns
- 測試條件:
600V,9A,22 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-247AC
- 描述:
IGBT 1200V 30A 180W TO247AC
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
1822+ |
TO247 |
9852 |
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詢價(jià) | ||
VISHAY |
24+ |
TO-247 |
12000 |
VISHAY專營進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
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IR |
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Infineon Technologies |
22+ |
TO247AC |
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詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
TO-247 |
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IR |
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IR |
22+ |
TO-247 |
39197 |
鄭重承諾只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) |