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IRG7PH30K10DPBF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRG7PH30K10DPBF
廠商型號

IRG7PH30K10DPBF

參數(shù)屬性

IRG7PH30K10DPBF 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 30A 180W TO247AC

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

442.4 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-2-10 10:52:00

IRG7PH30K10DPBF規(guī)格書詳情

Features

? Low VCE (ON) Trench IGBT Technology

? Low switching losses

? 10 μS short circuit SOA

? Square RBSOA

? 100 of the parts tested for ILM

? Positive VCE (ON) Temperature co-efficient

? Ultra fast soft Recovery Co-Pak Diode

? Tight parameter distribution

? Lead Free Package

Benefits

? High Efficiency in a wide range of applications

? Suitable for a wide range of switching frequencies due to Low VCE (ON) and Low Switching losses

? Rugged transient Performance for increased reliability

? Excellent Current sharing in parallel operation

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IRG7PH30K10DPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.35V @ 15V,9A

  • 開關(guān)能量:

    530μJ(開),380μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    14ns/110ns

  • 測試條件:

    600V,9A,22 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AC

  • 描述:

    IGBT 1200V 30A 180W TO247AC

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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