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IRG7PH35UD1MPBF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號(hào) |
IRG7PH35UD1MPBF |
參數(shù)屬性 | IRG7PH35UD1MPBF 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 50A 179W TO247AD |
功能描述 | Low Switching Losses |
封裝外殼 | TO-247-3 |
文件大小 |
295.88 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
9 頁 |
生產(chǎn)廠商 | International Rectifier |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
IRF |
中文名稱 | International Rectifier官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-1-29 20:00:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
IRG7PH35UD1MPBF
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
溝道
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2.2V @ 15V,20A
- 開關(guān)能量:
620μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:
-/160ns
- 測(cè)試條件:
600V,20A,10 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-247AD
- 描述:
IGBT 1200V 50A 179W TO247AD
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
NA/ |
3800 |
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詢價(jià) | ||
IR |
TO-247 |
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IR |
24+ |
TO-247 |
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詢價(jià) | ||
INFINEON |
10 |
詢價(jià) | |||||
INFINEON |
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Infineon Technologies |
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詢價(jià) |