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IRG7PH37K10D-EPBF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

IRG7PH37K10D-EPBF
廠商型號(hào)

IRG7PH37K10D-EPBF

參數(shù)屬性

IRG7PH37K10D-EPBF 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 45A 216W TO247AD

功能描述

Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode

文件大小

647.33 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-4 13:30:00

IRG7PH37K10D-EPBF規(guī)格書(shū)詳情

Features

Low VCE(ON) and Switching Losses

10μs Short Circuit SOA

Square RBSOA

Maximum Junction Temperature 150°C

Positive VCE (ON) Temperature Coefficient

Benefits

High Efficiency in a Wide Range of Applications

Increased Reliability

Excellent Current Sharing in Parallel Operation

Rugged Transient Performance

Applications

? Industrial Motor Drive

? UPS

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IRG7PH37K10D-EPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.4V @ 15V,15A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    1mJ(開(kāi)),600μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    50ns/240ns

  • 測(cè)試條件:

    600V,15A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 1200V 45A 216W TO247AD

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
23+
TO247
10000
原裝正品現(xiàn)貨
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IR
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TO247
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只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)!!
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TO247
990000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
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Infineon Technologies
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原裝
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原裝正品,提供BOM配單服務(wù)
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TO247
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全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售
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一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇
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8000
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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