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零件編號 | 下載&訂購 | 功能描述 | 制造商&上傳企業(yè) | LOGO |
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IRG7PH37K10D-EPBF | Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode Features LowVCE(ON)andSwitchingLosses 10μsShortCircuitSOA SquareRBSOA MaximumJunctionTemperature150°C PositiveVCE(ON)TemperatureCoefficient Benefits HighEfficiencyinaWideRangeofApplications IncreasedReliability ExcellentCurrentSharinginPa | IRF International Rectifier | IRF | |
IRG7PH37K10D-EPBF | 包裝:管件 封裝/外殼:TO-247-3 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 1200V 45A 216W TO247AD | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | |
InsulatedGateBipolarTransistorwithUltrafastSoftRecoveryDiode Features LowVCE(ON)andSwitchingLosses 10μsShortCircuitSOA SquareRBSOA MaximumJunctionTemperature150°C PositiveVCE(ON)TemperatureCoefficient Benefits HighEfficiencyinaWideRangeofApplications IncreasedReliability ExcellentCurrentSharinginPa | IRF International Rectifier | IRF | ||
InsulatedGateBipolarTransistorwithUltrafastSoftRecoveryDiode | IRF International Rectifier | IRF |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
IRG7PH37K10D-EPBF
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.4V @ 15V,15A
- 開關(guān)能量:
1mJ(開),600μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td(開/關(guān))值:
50ns/240ns
- 測試條件:
600V,15A,10 歐姆,15V
- 工作溫度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-247AD
- 描述:
IGBT 1200V 45A 216W TO247AD
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
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TO247 |
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INFINEON/英飛凌 |
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當(dāng)天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨 |
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