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IRG8P15N120KD-EPBF 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 IR/國(guó)際整流器

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  • 廠家型號(hào)：

    IRG8P15N120KD-EPBF

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    IR

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    4604

  • 產(chǎn)品封裝：

    SOP8

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-24 11:10:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：IRG8P15N120KD-EPBF品牌：IR

一級(jí)代理原廠VIP渠道,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、

  • 芯片型號(hào)：

    IRG8P15N120KD-EPBF

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    IR【國(guó)際整流器】詳情

  • 廠商全稱(chēng)：

    International Rectifier Corporation，IRC

  • 中文名稱(chēng)：

    美國(guó)國(guó)際整流器公司

產(chǎn)品參考屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IRG8P15N120KD-EPBF

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，10A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    600μJ（開(kāi)），600μJ（關(guān)）

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    15ns/170ns

  • 測(cè)試條件：

    600V，10A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247AD

  • 描述：

    IGBT 1200V 30A TO247AD

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    陳先生/周小姐

  • 手機(jī)：

    18923718265

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話：

    0755-82721010

  • 傳真：

    0755-28225816

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道福強(qiáng)社區(qū)華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座、B座A座16層1611室/亞太地區(qū)XILINX、ALTERA、LATTICE、AD、TI、ST、infineon、NXP、Microchip一級(jí)代理商

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