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IRGP4266DPBF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRGP4266DPBF
廠商型號

IRGP4266DPBF

參數(shù)屬性

IRGP4266DPBF 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 650V 140A 455W TO247AC

功能描述

Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode
IGBT 650V 140A 455W TO247AC

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

869.82 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-9 13:21:00

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IRGP4266DPBF規(guī)格書詳情

IRGP4266DPBF屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IRGP4266DPBF晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

Features

? ?Low VCE(ON) and Switching Losses

? ?5.5μs Short Circuit SOA

? ?Square RBSOA

? ?Maximum Junction Temperature 175°C

? ?Positive VCE (ON) Temperature Co-efficient

Benefits

? ?High Efficiency in a Wide Range of Applications

? ?Increased Reliability

? ?Excellent Current Sharing in Parallel Operation

? ?Rugged Transient Performance

Applications

? Industrial Motor Drive

? UPS

? Solar Inverters

? Welding

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IRGP4266DPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    散裝

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,75A

  • 開關(guān)能量:

    2.5mJ(開),2.2mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    50ns/200ns

  • 測試條件:

    400V,75A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AC

  • 描述:

    IGBT 650V 140A 455W TO247AC

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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