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AOB15B60D	文件：606.9 Kbytes Page：9 Pages	600V,15AAlphaIGBTwithDiode GeneralDescription TheAlphaIGBTTMlineofproductsoffersbest-in-classperformanceinconductionandswitchinglosses,withrobustshortcircuitcapability.Theyaredesignedforeaseofparalleling,minimalgatespikeunderhighdV/dtconditionsandresistancetooscillations.Thesoftcopac	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體	AOSMD
AOK15B60D	文件：663.26 Kbytes Page：9 Pages	600V,15AAlphaIGBTwithDiode GeneralDescription TheAlphaIGBTTMlineofproductsoffersbest-in-classperformanceinconductionandswitchinglosses,withrobustshortcircuitcapability.Theyaredesignedforeaseofparalleling,minimalgatespikeunderhighdV/dtconditionsandresistancetooscillations.Thesoftcopac	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體	AOSMD
AOT15B60D	文件：658.58 Kbytes Page：9 Pages	600V,15AAlphaIGBTwithDiode GeneralDescription TheAlphaIGBTTMlineofproductsoffersbest-in-classperformanceinconductionandswitchinglosses,withrobustshortcircuitcapability.Theyaredesignedforeaseofparalleling,minimalgatespikeunderhighdV/dtconditionsandresistancetooscillations.Thesoftcopac	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體	AOSMD
AOTF15B60D	文件：664.05 Kbytes Page：9 Pages	600V,15AAlphaIGBTwithDiode GeneralDescription TheAlphaIGBTTMlineofproductsoffersbest-in-classperformanceinconductionandswitchinglosses,withrobustshortcircuitcapability.Theyaredesignedforeaseofparalleling,minimalgatespikeunderhighdV/dtconditionsandresistancetooscillations.Thesoftcopac	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體	AOSMD
GB15B60KD	文件：269.09 Kbytes Page：15 Pages	ULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features ?LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. ?LowDiodeVF. ?10μsShortCircuitCapability. ?SquareRBSOA. ?UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. ?PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. Benefits ?BenchmarkEfficiencyforMotorControl. ?RuggedTransien	IRF International Rectifier	IRF
IRGB15B60KD	文件：269.09 Kbytes Page：15 Pages	ULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features ?LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. ?LowDiodeVF. ?10μsShortCircuitCapability. ?SquareRBSOA. ?UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. ?PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. Benefits ?BenchmarkEfficiencyforMotorControl. ?RuggedTransien	IRF International Rectifier	IRF
IRGB15B60KDPBF	文件：821.1 Kbytes Page：15 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features ?LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. ?LowDiodeVF. ?10μsShortCircuitCapability. ?SquareRBSOA. ?UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. ?PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. ?Lead-Free Benefits ?BenchmarkEfficiencyfor	IRF International Rectifier	IRF
IRGS15B60KD	文件：269.09 Kbytes Page：15 Pages	ULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features ?LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. ?LowDiodeVF. ?10μsShortCircuitCapability. ?SquareRBSOA. ?UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. ?PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. Benefits ?BenchmarkEfficiencyforMotorControl. ?RuggedTransien	IRF International Rectifier	IRF
IRGS15B60KDPBF	文件：830.08 Kbytes Page：16 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRF International Rectifier	IRF
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IRGSL15B60KDPBF	文件：821.1 Kbytes Page：15 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features ?LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. ?LowDiodeVF. ?10μsShortCircuitCapability. ?SquareRBSOA. ?UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. ?PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. ?Lead-Free Benefits ?BenchmarkEfficiencyfor	IRF International Rectifier	IRF

詳細(xì)參數(shù)

型號：
IRGS15B60KDTRR
功能描述：
IGBT 模塊 600V 15A
RoHS：
否
制造商：
Infineon Technologies
產(chǎn)品：
IGBT Silicon Modules
配置：
Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
600 V
集電極—射極飽和電壓：
1.95 V 在25
C的連續(xù)集電極電流：
230 A
柵極—射極漏泄電流：
400 nA
功率耗散：
445 W
最大工作溫度：
+ 125 C
封裝/箱體：
34MM

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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