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IRGSL10B60KDPBF分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRGSL10B60KDPBF
廠商型號

IRGSL10B60KDPBF

參數(shù)屬性

IRGSL10B60KDPBF 封裝/外殼為TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT NPT 600V 22A TO262

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件大小

365.94 Kbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-12-24 11:06:00

IRGSL10B60KDPBF規(guī)格書詳情

Features

? Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.

? Low Diode VF.

? 10μs Short Circuit Capability.

? Square RBSOA.

? Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics.

? Positive VCE (on) Temperature Coefficient.

? Lead-Free

Benefits

? Benchmark Efficiency for Motor Control.

? Rugged Transient Performance.

? Low EMI.

? Excellent Current Sharing in Parallel Operation.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IRGSL10B60KDPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • IGBT 類型:

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 15V,10A

  • 開關能量:

    140μJ(開),250μJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    30ns/230ns

  • 測試條件:

    400V,10A,47 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA

  • 供應商器件封裝:

    TO-262

  • 描述:

    IGBT NPT 600V 22A TO262

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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