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IRGSL4B60KD1PBF 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 IR/國(guó)際整流器

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  • 廠家型號(hào)：

    IRGSL4B60KD1PBF

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    IR

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    343

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO262

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    05+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-8 16:13:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：IRGSL4B60KD1PBF品牌：IR

一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力

  • 芯片型號(hào)：

    IRGSL4B60KD1PBF

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    IRF詳情

  • 廠商全稱：

    International Rectifier

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    16 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    442.69 kb

  • 資料說(shuō)明：

    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IRGSL4B60KD1PBF

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.5V @ 15V，4A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    73μJ（開(kāi)），47μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    22ns/100ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，4A，100 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-262

  • 描述：

    IGBT NPT 600V 11A TO262

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市威雅利發(fā)展有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    陳經(jīng)理

  • 手機(jī)：

    18938923845

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83137789/18938923845

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)A座12K

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