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首頁(yè)>IRGSL6B60KDPBF>芯片詳情
IRGSL6B60KDPBF 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌
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原廠料號(hào):IRGSL6B60KDPBF品牌:INFINEON
查現(xiàn)貨到京北通宇商城
IRGSL6B60KDPBF是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商INFINEON/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝con/TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA的IRGSL6B60KDPBF晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
IRGSL6B60KDPBF
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
- 包裝:
卷帶(TR)
- IGBT 類型:
NPT
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2.2V @ 15V,5A
- 開關(guān)能量:
110μJ(開),135μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:
25ns/215ns
- 測(cè)試條件:
400V,5A,100 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-262
- 描述:
IGBT NPT 600V 13A TO262
供應(yīng)商
- 企業(yè):
北京京北通宇電子元件有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
洪先生
- 手機(jī):
17862669251
- 詢價(jià):
- 電話:
17862669251
- 地址:
北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓金泰富地大廈505
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