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IRL1004L	文件：124.65 Kbytes Page：10 Pages	Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance Description FifthGenerationHEXFET?powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknow	IRF International Rectifier	IRF
IRL1004L	文件：133.79 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET	NSCNational Semiconductor (TI) 美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司	NSC
IRL1004LPBF	文件：206.53 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFET?powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknow	IRF International Rectifier	IRF
IRL1004PBF	文件：164.73 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology Description FifthGenerationHEXFET?powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewel	IRF International Rectifier	IRF
IRL1004PBF	文件：164.73 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRL1004S	文件：133.79 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET	NSCNational Semiconductor (TI) 美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司	NSC
IRL1004S	文件：124.65 Kbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnologyUltraLowOn-Resistance Description FifthGenerationHEXFET?powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknow	IRF International Rectifier	IRF
IRL1004S	文件：263.54 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor ?FEATURES ?WithTO-263(D2PAK)packaging ?Highspeedswitching ?Lowgateinputresistance ?Standardlevelgatedrive ?Easytouse ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Powersupply ?Switchinga	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRL1004SPBF	文件：206.53 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFET?powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknow	IRF International Rectifier	IRF
IRL1004SPBF	文件：215.67 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
ISLT1004	文件：842.3 Kbytes Page：11 Pages	SwitchingModePowerSupply	ISOCOM ISOCOM COMPONENTS	ISOCOM
IVR1004	文件：164.47 Kbytes Page：8 Pages	aIVR1004??10sec	APLUS Aplus Intergrated Circuits	APLUS
KBJ1004	文件：114.15 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
KBJ1004	文件：41.11 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
KBJ1004	文件：902.47 Kbytes Page：4 Pages	BRIDGERECTIFIERS10Amps BRIDGERECTIFIERS10Amps	RFERFE international RFE國(guó)際公司RFE國(guó)際股份有限公司	RFE
KBJ1004	文件：203.23 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEPHASE10.0AMPS.GLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIERS	CHONGQINGChongqing Pingwei Enterprise co.,Ltd 重慶平偉實(shí)業(yè)重慶平偉實(shí)業(yè)股份有限公司	CHONGQING
KBJ1004	文件：503.38 Kbytes Page：3 Pages	10AGLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIERReverse	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司	YFWDIODE
KBJ1004	文件：67.07 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEPHASE10.0AMPBRIDGERECTIFIERS	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
KBJ1004	文件：211.47 Kbytes Page：2 Pages	Voltage50V~1000V10AmpGlassPassivatedBridgeRectifiers	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
KBJ1004	文件：520 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIERS	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 深圳辰達(dá)半導(dǎo)體深圳辰達(dá)半導(dǎo)體有限公司	CHENDA

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IRL1004L
功能描述：
MOSFET N-CH 40V 130A TO-262
RoHS：
否
類(lèi)別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
HEXFET®
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類(lèi)型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市明嘉萊科技有限公司	IRL1004L	IR	24+	TO 262	161318	明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨	詢(xún)價(jià)
深圳市匯萊威科技有限公司	IRL1004L	IR	24+	TO-262	501172	免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系	詢(xún)價(jià)
深圳市勤思達(dá)科技有限公司	IRL1004L	IR	2015+	TO-262	12500	全新原裝,現(xiàn)貨庫(kù)存長(zhǎng)期供應(yīng)	詢(xún)價(jià)
深圳市星佑電子有限公司	IRL1004L	ir	06+	TO-262	15000	原裝	詢(xún)價(jià)
深圳市一線(xiàn)半導(dǎo)體有限公司	IRL1004L	IR	24+	TO-262	8866		詢(xún)價(jià)
深圳市昌和盛利電子有限公司	IRL1004L	IR	23+	TO-262	35890		詢(xún)價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	IRL1004L	IRF	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠(chǎng)免費(fèi)送樣	詢(xún)價(jià)
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更多IRL1004L供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-7 19:10:00

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