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IRL1404S中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IRL1404S
廠商型號(hào)

IRL1404S

功能描述

HEXFET-R Power MOSFET

文件大小

134.4 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-23 23:00:00

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IRL1404S規(guī)格書(shū)詳情

Description

Seventh Generation HEXFET? power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

● Advanced Process Technology

● Ultra Low On-Resistance

● Dynamic dv/dt Rating

● 175°C Operating Temperature

● Fast Switching

● Fully Avalanche Rated

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRL1404S

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門(mén)

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
21+
TO-263
30490
原裝現(xiàn)貨庫(kù)存
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NA/
9568
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開(kāi)票
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房間原裝進(jìn)口現(xiàn)貨假一賠十
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TP-263
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原裝進(jìn)口無(wú)鉛現(xiàn)貨
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24+
TO-263
501445
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
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Infineon/英飛凌
21+
D2PAK
6820
只做原裝,質(zhì)量保證
詢價(jià)