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IRL2910S中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRL2910S
廠商型號(hào)

IRL2910S

功能描述

HEXFET POWER MOSFET

文件大小

344.25 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-23 23:00:00

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IRL2910S規(guī)格書詳情

Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

● Logic-Level Gate Drive

● Advanced Process Technology

● Ultra Low On-Resistance

● Dynamic dv/dt Rating

● 175°C Operating Temperature

● Fast Switching

● Fully Avalanche Rated

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRL2910S

  • 制造商:

    IRF

  • 制造商全稱:

    International Rectifier

  • 功能描述:

    HEXFET POWER MOSFET

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IR
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TO-263
30490
原裝現(xiàn)貨庫(kù)存
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