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IRL530N

HEXFETPowerMOSFET

IRF

International Rectifier

IRL530N

N-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRL530NL

IscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRL530NLPBF

HEXFETPowerMOSFET(VDSS=100V,RDS(on)=0.10廓,ID=17A)

IRF

International Rectifier

IRL530NLPBF

AdavancedProcessTechnology

IRF

International Rectifier

IRL530NPBF

ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY

IRF

International Rectifier

IRL530NPBF

AdavancedProcessTechnology

IRF

International Rectifier

IRL530NS

HEXFETPowerMOSFET

IRF

International Rectifier

IRL530NS

IscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRL530NSL

lAdvancedProcessTechnology

IRF

International Rectifier

IRL530NSPBF

HEXFETPowerMOSFET(VDSS=100V,RDS(on)=0.10廓,ID=17A)

IRF

International Rectifier

IRL530NSPBF

AdavancedProcessTechnology

IRF

International Rectifier

IRL530NSPBF

ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY

IRF

International Rectifier

IRL530PBF

HEXFET?PowerMOSFET

IRF

International Rectifier

IRL530PBF

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRL530S

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRL530S

PowerMOSFET

FEATURES ?Surface-mount ?Availableintapeandreel ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Logiclevelgatedrive ?RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V ?175°Coperatingtemperature ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRL530STRRPBF

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRLI530A

ADVANCEDPOWERMOSFET

BVDSS=100V RDS(on)=0.12? ID=14A FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?175°COperatingTemperature ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ?LowerRDS(ON):

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

IRLI530A

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    IRL530L

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 100V 15A TO-262

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
IR
23+
TO-262
35890
詢價(jià)
VISHAY
1503+
TO262-3
3000
就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購元件!
 詢價(jià)
Vishay Siliconix
22+
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價(jià)
Vishay Siliconix
21+
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A
13880
公司只售原裝,支持實(shí)單
 詢價(jià)
VISHAY/威世
23+
TO262
28888
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
 詢價(jià)
Vishay Siliconix
23+
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A
9000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢價(jià)
Vishay Siliconix
2022+
TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-26
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
 詢價(jià)
IR
23+
8000
只做原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
IR
23+
7000
詢價(jià)
IR
24+
TO220
58000
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費(fèi)!
 詢價(jià)
更多IRL530L供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-23 17:15:00

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