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IRL530NS	文件：281.15 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRL530NS	文件：189.18 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRL530NSL	文件：290.4 Kbytes Page：11 Pages	l Advanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRL530NSPBF	文件：465.09 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET ( VDSS=100V , RDS(on)=0.10廓 , ID=17A )	IRF International Rectifier	IRF
IRL530NSPBF	文件：466.05 Kbytes Page：11 Pages	Adavanced Process Technology	IRF International Rectifier	IRF
IRL530NSPBF	文件：466.05 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRL530NSPBF_15	文件：466.05 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRL530PBF	文件：250.43 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRL530PBF	文件：1.147 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRL530S	文件：281.14 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRL530S	文件：313.33 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Surface-mount ?Availableintapeandreel ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Logiclevelgatedrive ?RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V ?175°Coperatingtemperature ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRL530STRRPBF	文件：281.14 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRLI530A	文件：273.26 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCEDPOWERMOSFET BVDSS=100V RDS(on)=0.12? ID=14A FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?175°COperatingTemperature ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ?LowerRDS(ON):	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRLI530A	文件：274.38 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRLI530G	文件：175.4 Kbytes Page：6 Pages	HEXFETPowerMOSFET(VDSS=100V,RDS(on)=0.16廓,ID=9.7A)	IRF International Rectifier	IRF
IRLI530G	文件：1.54383 Mbytes Page：8 Pages	Logic-LevelGateDrive	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRLI530GPBF	文件：937.18 Kbytes Page：7 Pages	HEXFETPowerMOSFET(VDSS=100V,RDS(on)=0.16廓,ID=9.7A)	IRF International Rectifier	IRF
IRLI530GPBF	文件：902.05 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRLI530N	文件：144.89 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLI530N	文件：299.7 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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詳細參數(shù)

型號：
IRL530NS
功能描述：
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
RoHS：
否
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
HEXFET®
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點：
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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深圳市匯萊威科技有限公司	IRL530NS	IR	24+	TO-263	501483	免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系	詢價
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深圳市博浩通科技有限公司	IRL530NS	IR	23+	D2-Pak	8600	全新原裝現(xiàn)貨	詢價
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IRL530NS	IR	24+	D2-Pak	8866		詢價
深圳市卓越微芯電子有限公司	IRL530NS	IR	2020+	TO-263	900	百分百原裝正品真實公司現(xiàn)貨庫存本公司只做原裝可	詢價
深圳市昌和盛利電子有限公司	IRL530NS	IR	23+	TO-263	35890		詢價

更多IRL530NS供應(yīng)商更新時間2025-1-11 16:36:00

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