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IRL530STRRPBF

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRLI530A

ADVANCEDPOWERMOSFET

BVDSS=100V RDS(on)=0.12? ID=14A FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?175°COperatingTemperature ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ?LowerRDS(ON):

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

IRLI530A

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRLI530G

HEXFETPowerMOSFET(VDSS=100V,RDS(on)=0.16廓,ID=9.7A)

IRF

International Rectifier

IRLI530G

Logic-LevelGateDrive

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRLI530GPBF

HEXFETPowerMOSFET(VDSS=100V,RDS(on)=0.16廓,ID=9.7A)

IRF

International Rectifier

IRLI530GPBF

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRLI530N

HEXFETPowerMOSFET

IRF

International Rectifier

IRLI530N

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRLI530NPBF

HEXFETPowerMOSFET

IRF

International Rectifier

IRLI530NPBF

ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY

IRF

International Rectifier

IRLI530NPBF

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司

IRLS530

AdvancedPowerMOSFET

FEATURES ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●ExtendedSafeOperatingArea ●LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ●LowerRDS(ON):0.101?(Typ.)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

IRLS530A

AdvancedPowerMOSFET

FEATURES ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●ExtendedSafeOperatingArea ●LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ●LowerRDS(ON):0.101?(Typ.)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

IRLS530A

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRLW530A

ADVANCEDPOWERMOSFET

BVDSS=100V RDS(on)=0.12? ID=14A FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?175°COperatingTemperature ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ?LowerRDS(ON):

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

IRLW530A

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRLWI530A

AdvancedPowerMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

KSM530

AdvancedhighcelldenitytrenchtechnologyforultraRDS(ON)

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KSMB530

Greendeviceavailable.

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

詳細參數(shù)

  • 型號:

    IRL530STRL

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    -

  • 標準包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IRL530STRL供應商 更新時間2025-1-10 16:37:00