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IRL640PBF

HEXFETPowerMOSFET(VDSS=200V,RDS(on)=0.18廓,ID=17A)

IRF

International Rectifier

IRL640PBF

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRL640S

HEXFET-RPOWERMOSFET

IRF

International Rectifier

IRL640S

Repetitiveavalancherated

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRL640S

PowerMOSFETs

FEATURES ?Surface-mount ?Availableintapeandreel ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Logic-levelgatedrive ?RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V ?Fastswitching ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note?

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRL640SPBF

HEXFETPowerMOSFET

IRF

International Rectifier

IRL640SPBF

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRL640STRLPBFA

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRL640STRRPBFA

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRLI640

PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.18ohm,Id=9.9A)

Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ●IsolatedPackage ●HighVoltageIsolation=2.5KVRMS ●SinktoLeadCreepageDist.4.8mm ●

IRF

International Rectifier

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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全新原裝 貨期兩周
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更多IRL640NSTRL供應(yīng)商 更新時間2025-1-27 15:02:00

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