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IRLR8113

HighFrequencySynchronousBuck

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

IRLR8113

HEXFETPowerMOSFET

IRF

International Rectifier

IRLR8113PBF

HEXFETPowerMOSFET

IRF

International Rectifier

IRLU8113

HEXFETPowerMOSFET

IRF

International Rectifier

IRLU8113PBF

HEXFETPowerMOSFET

IRF

International Rectifier

IRLU8113PBF

HighFrequencySynchronousBuck

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

ISOM8113

ISOM811x3.75-kVRMS,Single-ChannelOpto-EmulatorwithAnalogTransistorOutput

1Features ?Drop-inreplacementandpin-to-pinupgradeto industrystandardphototransistoroptocouplers ?1channeldiode-emulatorinput ?Currenttransferratio(CTR):atIF=5mA,VCE=5 V– ISOM8110,ISOM8115:100to155 –ISOM8111,ISOM8116:150to230 –ISOM8112,ISOM8117:255to3

TI1Texas Instruments

德州儀器

ISOM8113DFGR

ISOM811xSingle-ChannelOpto-EmulatorWithAnalogTransistorOutput

1Features ?Footprintcompatible,pin-to-pinupgradeto industry-standardphototransistoroptocouplers ?1-channelLED-emulatorinput ?Currenttransferratio(CTR)atIF=5mA,VCE=5V: –ISOM8110,ISOM8115:100%to155% –ISOM8111,ISOM8116:150%to230% –ISOM8112,ISOM

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

ISOM8113DFGR

ISOM811x3.75kVRMS,Single-ChannelOpto-EmulatorWithAnalogTransistorOutput

1Features ?Footprintcompatible,pin-to-pinupgradeto industry-standardphototransistoroptocouplers ?1-channelLED-emulatorinput ?Currenttransferratio(CTR)atIF=5mA,VCE=5V: –ISOM8110,ISOM8115:100%to155% –ISOM8111,ISOM8116:150%to230% –ISOM8112,ISOM

TI1Texas Instruments

德州儀器

ISOM8113DFHR

ISOM811xSingle-ChannelOpto-EmulatorWithAnalogTransistorOutput

1Features ?Footprintcompatible,pin-to-pinupgradeto industry-standardphototransistoroptocouplers ?1-channelLED-emulatorinput ?Currenttransferratio(CTR)atIF=5mA,VCE=5V: –ISOM8110,ISOM8115:100%to155% –ISOM8111,ISOM8116:150%to230% –ISOM8112,ISOM

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IRL8113STRRPBF

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    HEXFET®

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IR
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