IRLI640G中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
IRLI640G規(guī)格書詳情
Description
Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
● Isolated Package
● High Voltage Isolation = 2.5KVRMS
● Sink to Lead Creepage Dist. 4.8mm
● Logic-Level Gate Drive
● RDS(ON) Specified at VGS = 4V & 5V
● Fast Switching
● Ease of paralleling
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
IRLI640G
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 200V 9.9 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
NA/ |
13813 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO220F |
58000 |
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費(fèi)! |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO 220F |
160882 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-220F |
35890 |
詢價(jià) | |||
IR |
24+ |
TO-220F |
16800 |
絕對(duì)原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,假一賠十,價(jià)格優(yōu)勢(shì)!? |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TO-220F |
6950 |
專做原裝正品,假一罰百! |
詢價(jià) | ||
IR |
22+23+ |
TO-220 |
12367 |
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO-220FullPak(Iso) |
8866 |
詢價(jià) | |||
IR |
17+ |
TO-220F |
6200 |
詢價(jià) | |||
IR |
2020+ |
TO-220 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價(jià) |
