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IRLL014NPBF	文件：261.26 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRLL014NPBF	文件：262.4 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRLL014NTR	文件：165.67 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRLL014NTRPBF	文件：1.80269 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
IRLL014NTRPBF	文件：262.4 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRLL014NTRPBF-TP	文件：1.82994 Mbytes Page：5 Pages	‘N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GENERALFEATURES 60V,4A,Ros=B5TIQ.@Vis=10V. Reson=10070@Vos=45V. 1HighdensecedesignforextremelylowRosco Ruggedandreat. Leadreproductsacquired 507.223package.	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 臺舟電子臺舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
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IRLL014PBF	文件：959.24 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniq	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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深圳市河鋒鑫科技有限公司	IRLL014NNTRPBF	IR	22+	SOT-223	6000	終端可免費供樣,支持BOM配單	詢價
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