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IRLML6402

HEXFETPowerMOSFET

IRF

International Rectifier

IRLML6402

HEXFETPowerMOSFET

IRF

International Rectifier

IRLML6402

P-ChannelEnhancementMOSFET

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

IRLML6402

bq2026EvaluationSoftware

TI1Texas Instruments

德州儀器

IRLML6402

Plastic-EncapsulateMosfets

HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰深圳市合科泰電子有限公司

IRLML6402

-20VP-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. TheusesadvancedtrenchtechnologyIRLML6402 GeneralFeatures VDS=-20VID =-2.3A RDS(ON)

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

IRLML6402

P-ChannelEnhancementMOSFET

■Features ●Ultralowon-resistance. ●P-ChannelMOSFET. ●SOT-23Footprint. ●Lowprofile(

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司

IRLML6402

P-ChannelEnhancementMOSFET

Features Ultralowon-resistance. P-ChannelMOSFET. SOT-23Footprint. Lowprofile(

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

IRLML6402GPBF

HEXFETPowerMOSFET

IRF

International Rectifier

IRLML6402GTRPBF

UltraLowOn-Resistance

IRF

International Rectifier

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
IR
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更多IRLM6402TR供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-9 9:00:00

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