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LTC3636

5V,12.5ASynchronousStep-DownSilentSwitcherin3mmx3mmLQFN

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導體技術有限公司

PSB-3636

SPLITBOBBINHIGHISOLATIONPOWERTRANSFORMERS

PMI

Premier Magnetics, Inc.

PSB-3636D

SPLITBOBBINHIGHISOLATIONPOWERTRANSFORMERS

PMI

Premier Magnetics, Inc.

PST3636NR

ICforCMOSSystemReset

MITSUMIMitsumi Electronics, Corp.

三美三美電機株式會社

PST3636UR

ICforCMOSSystemReset

MITSUMIMitsumi Electronics, Corp.

三美三美電機株式會社

PT3636

HighSensitivityUnipolarSwitch

PROLIFICProlific Technology Inc.

旺玖科技旺玖科技股份有限公司

PT3636

3.8V~24Voperation

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

RMQCBA3636DGBA

36-MbitDDR??IISRAM2-wordBurstArchitecture(2.5CycleReadlatency)

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RMQCEA3636DGBA

36-MbitDDR?IISRAM2-wordBurstArchitecture(2.5CycleReadlatency)withODT

Description TheRMQCEA3636DGBAisa1,048,576-wordby36-bitandtheRMQCEA3618DGBAisa2,097,152-wordby18-bit synchronousquaddataratestaticRAMfabricatedwithadvancedCMOStechnologyusingfullCMOSsix-transistor memorycell.Itintegratesuniquesynchronousperipheralcircuitryand

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RMQCHA3636DGBA

36-MbitDDR?IISRAM2-wordBurstArchitecture(2.0CycleReadlatency)

Description TheRMQCHA3636DGBAisa1,048,576-wordby36-bitandtheRMQCHA3618DGBAisa2,097,152-wordby18-bit synchronousquaddataratestaticRAMfabricatedwithadvancedCMOStechnologyusingfullCMOSsix-transistor memorycell.Itintegratesuniquesynchronousperipheralcircuitryand

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

詳細參數

  • 型號：

    IRLR3636

  • 功能描述：

    MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 6.8mOhms 33nC

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IRLR3636供應商 更新時間2025-4-27 10:35:00

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