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IS42VM32100D-6BLI集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
IS42VM32100D-6BLI |
| 參數(shù)屬性 | IS42VM32100D-6BLI 封裝/外殼為90-TFBGA；包裝為卷帶（TR）；類別為集成電路（IC）的存儲器；產(chǎn)品描述：IC DRAM 32MBIT PARALLEL 90TFBGA |
| 功能描述 | 512K x 32Bits x 2Banks Low Power Synchronous DRAM |
| 封裝外殼 | 90-TFBGA |
| 文件大小 |
846.4 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
34 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Integrated Silicon Solution Inc |
| 企業(yè)簡稱 |
ISSI【北京矽成】 |
| 中文名稱 | 北京矽成半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-21 11:00:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
IS42VM32100D-6BLI
- 制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲器
- 包裝：
卷帶（TR）
- 存儲器類型：
易失
- 存儲器格式：
DRAM
- 技術(shù)：
SDRAM - 移動
- 存儲容量：
32Mb（1M x 32）
- 存儲器接口：
并聯(lián)
- 電壓 - 供電：
1.7V ~ 1.95V
- 工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
90-TFBGA
- 供應(yīng)商器件封裝：
90-TFBGA（8x13）
- 描述：
IC DRAM 32MBIT PARALLEL 90TFBGA
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI, |
21+ |
25000 |
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詢價 | |||
ISSI(美國芯成) |
2117+ |
TFBGA-90(8x13) |
315000 |
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ISSI Integrated Silicon Soluti |
22+ |
90TFBGA (8x13) |
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ISSI Integrated Silicon Soluti |
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90TFBGA (8x13) |
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