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IS42VM32100D-6BLI集成電路（IC）的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料

IS42VM32100D-6BLI
廠商型號(hào)

IS42VM32100D-6BLI
參數(shù)屬性

IS42VM32100D-6BLI 封裝/外殼為90-TFBGA；包裝為卷帶（TR）；類別為集成電路（IC）的存儲(chǔ)器；產(chǎn)品描述：IC DRAM 32MBIT PARALLEL 90TFBGA
功能描述

512K x 32Bits x 2Banks Low Power Synchronous DRAM
封裝外殼

90-TFBGA
文件大小

846.4 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

34 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Integrated Silicon Solution Inc
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ISSI【北京矽成】

中文名稱

北京矽成半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二
更新時(shí)間

2025-3-1 16:54:00
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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IS42VM32100D-6BLI

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲(chǔ)器類型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    DRAM

  • 技術(shù)：

    SDRAM - 移動(dòng)

  • 存儲(chǔ)容量：

    32Mb（1M x 32）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    1.7V ~ 1.95V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    90-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    90-TFBGA（8x13）

  • 描述：

    IC DRAM 32MBIT PARALLEL 90TFBGA

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ISSI(美國(guó)芯成)
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