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IS61DDB44M18-300M3中文資料北京矽成數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IS61DDB44M18-300M3
廠商型號(hào)

IS61DDB44M18-300M3

功能描述

72 Mb (2M x 36 & 4M x 18) DDR-II (Burst of 4) CIO Synchronous SRAMs

文件大小

669.17 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

26 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Integrated Silicon Solution Inc
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ISSI北京矽成

中文名稱

北京矽成半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-1-3 18:26:00

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IS61DDB44M18-300M3

  • 功能描述:

    靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 72M(2Mx18) 300MHz Commercial Temp

  • RoHS:

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor

  • 存儲(chǔ)容量:

    16 Mbit

  • 組織:

    1 M x 16

  • 訪問(wèn)時(shí)間:

    55 ns

  • 電源電壓-最大:

    3.6 V

  • 電源電壓-最?。?/span>

    2.2 V

  • 最大工作電流:

    22 uA

  • 最大工作溫度:

    + 85 C

  • 最小工作溫度:

    - 40 C

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    TSOP-48

  • 封裝:

    Tray

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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