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IS61NLP25672-200B1

256K x 72, 512K x 36 and 1M x 18 18Mb, PIPELINE (NO WAIT) STATE BUS SRAM

DESCRIPTION The18MegNLP/NVPproductfamilyfeaturehigh-speed,low-powersynchronousstaticRAMsdesignedtoprovideaburstable,high-performance,nowaitstate,devicefornetworkingandcommunicationsapplications.Theyareorganizedas256Kwordsby72bits,512Kwordsby36bitsand1Mwo

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS61NLP25672-200B1

包裝:托盤(pán) 封裝/外殼:209-BGA 類(lèi)別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 209LFBGA

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS61NLP25672-200B1I

256K x 72, 512K x 36 and 1M x 18 18Mb, PIPELINE (NO WAIT) STATE BUS SRAM

DESCRIPTION The18MegNLP/NVPproductfamilyfeaturehigh-speed,low-powersynchronousstaticRAMsdesignedtoprovideaburstable,high-performance,nowaitstate,devicefornetworkingandcommunicationsapplications.Theyareorganizedas256Kwordsby72bits,512Kwordsby36bitsand1Mwo

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS61NLP25672-200B1I-TR

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:209-BGA 類(lèi)別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 209LFBGA

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS61NLP25672-200B1LI

包裝:托盤(pán) 封裝/外殼:209-BGA 類(lèi)別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 209LFBGA

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IS61NLP25672-200B1

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類(lèi)別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    托盤(pán)

  • 存儲(chǔ)器類(lèi)型:

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 同步,SDR

  • 存儲(chǔ)容量:

    18Mb(256K x 72)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類(lèi)型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    209-BGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    209-LFBGA(14x22)

  • 描述:

    IC SRAM 18MBIT PARALLEL 209LFBGA

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多IS61NLP25672-200B1供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-20 10:50:00