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IS61WV12816DBLL-10BLI-TR

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：48-TFBGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48MINIBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV12816DBLL-10BI

128Kx16HIGHSPEEDASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAM

DESCRIPTION TheISSIIS61WV12816DAxx/DBxxandIS64WV12816DBxxarehigh-speed,2,097,152-bitstaticRAMsorganizedas131,072wordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshighperformanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldshigh-pe

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS61WV12816DBLL-10BLI

128Kx16HIGHSPEEDASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAM

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ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS61WV12816DBLL-10TI

128Kx16HIGHSPEEDASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAM

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ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS61WV12816DBLL-10TL

128Kx16HIGHSPEEDASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAM

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ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導體有限公司

IS61WV12816DBLL-10TLI

128Kx16HIGHSPEEDASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAM

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ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IS61WV12816DBLL-10BLI-TR

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 異步

  • 存儲容量：

    2Mb（128K x 16）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    10ns

  • 電壓 - 供電：

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    48-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    48-TFBGA（6x8）

  • 描述：

    IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48MINIBGA

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IS61WV12816DBLL-10BLI-TR供應(yīng)商 更新時間2025-1-3 11:02:00

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