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IXA20I1200PZ-TUB

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:DISC IGBT XPT-GENX3 TO-263D2

IXYS

IXYS Corporation

DHG20I1200HA

HighPerformanceFastRecoveryDiodeLowLossandSoftRecoverySingleDiode

HighPerformanceFastRecoveryDiode LowLossandSoftRecovery SingleDiode Features/Advantages: ●Planarpassivatedchips ●Verylowleakagecurrent ●Veryshortrecoverytime ●Improvedthermalbehaviour ●VerylowIrm-values ●Verysoftrecoverybehaviour ●Avalanchevoltagerated

IXYS

IXYS Corporation

DHG20I1200PA

HighPerformanceFastRecoveryDiodeLowLossandSoftRecoverySingleDiode

HighPerformanceFastRecoveryDiode LowLossandSoftRecovery SingleDiode Features/Advantages: ●Planarpassivatedchips ●Verylowleakagecurrent ●Veryshortrecoverytime ●Improvedthermalbehaviour ●VerylowIrm-values ●Verysoftrecoverybehaviour ●Avalanchevoltagerated

IXYS

IXYS Corporation

IXA20I1200PB

Easyparallelingduetothepositivetemperature

IXYS

IXYS Corporation

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IXA20I1200PZ-TUB

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    XPT?

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • IGBT 類型:

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,15A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    1.6mJ(開(kāi)),1.7mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    48ns/230ns

  • 測(cè)試條件:

    600V,15A,56 歐姆,15V

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-263HV

  • 描述:

    DISC IGBT XPT-GENX3 TO-263D2

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IXYS
24+
TO-263-3 D?Pak(2 引線 + 接片
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獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證
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IXYS
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IXYS
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TO247AD (HB)
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IXYS
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全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
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更多IXA20I1200PZ-TUB供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-11 11:03:00