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IXA20I1200PB

Easy paralleling due to the positive temperature

IXYS

IXYS Corporation

IXA20I1200PB

包裝：管件 封裝/外殼：TO-220-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1200V 33A 130W TO220

IXYS

IXYS Corporation

DHG20I1200HA

HighPerformanceFastRecoveryDiodeLowLossandSoftRecoverySingleDiode

HighPerformanceFastRecoveryDiode LowLossandSoftRecovery SingleDiode Features/Advantages: ●Planarpassivatedchips ●Verylowleakagecurrent ●Veryshortrecoverytime ●Improvedthermalbehaviour ●VerylowIrm-values ●Verysoftrecoverybehaviour ●Avalanchevoltagerated

IXYS

IXYS Corporation

DHG20I1200PA

HighPerformanceFastRecoveryDiodeLowLossandSoftRecoverySingleDiode

HighPerformanceFastRecoveryDiode LowLossandSoftRecovery SingleDiode Features/Advantages: ●Planarpassivatedchips ●Verylowleakagecurrent ●Veryshortrecoverytime ●Improvedthermalbehaviour ●VerylowIrm-values ●Verysoftrecoverybehaviour ●Avalanchevoltagerated

IXYS

IXYS Corporation

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IXA20I1200PB

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.1V @ 15V，15A

  • 開關(guān)能量：

    1.65mJ（開），1.7mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 測(cè)試條件：

    600V，15A，56 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220-3

  • 描述：

    IGBT 1200V 33A 130W TO220

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IXYS
24+
TO-220-3
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價(jià)
IXYS
23+
DIP18
6000
15年原裝正品企業(yè)
 詢價(jià)
IXYS
18+
NA
3638
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)QQ3171516190
 詢價(jià)
IXYS
1931+
N/A
18
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 詢價(jià)
IXYS
1809+
TO-220
375
就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購(gòu)元件!
 詢價(jià)
IXYS
22+
NA
18
加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息,
 詢價(jià)
IXYS
22+
TO220AB
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價(jià)
IXYS
23+
TO220AB
9000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢價(jià)
IXYS
2022+
原廠原包裝
6800
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
 詢價(jià)
IXYS(艾賽斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾賽斯)全系列在售
 詢價(jià)
更多IXA20I1200PB供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-15 17:42:00

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