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IXBT16N170A

High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor

Features ?Monolithicfastreversediode ?HighBlockingVoltage ?JEDECTO-268surfacemountandJEDECTO-247ADpackages ?Lowswitchinglosses ?Highcurrenthandlingcapability ?MOSGateturn-on -drivesimplicity ?MoldingepoxiesmeetUL94V-0 flammabilityclassification Appl

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IXBT16N170A

包裝：管件 封裝/外殼：TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1700V 16A 150W TO268

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IXBT16N170AHV

High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor

Features ?HighVoltagePackage ?HighBlockingVoltage ?Anti-ParallelDiode ?LowConductionLosses Advantages ?LowGateDriveRequirement ?HighPowerDensity Applications: ?Switch-ModeandResonant-ModePowerSupplies ?UninterruptiblePowerSupplies(UPS) ?LaserGenerators ?Ca

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IXBT16N170AHV

包裝：托盤 封裝/外殼：TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT

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IXGH16N170

HighVoltageIGBT

HighVoltageIGBT Features ?Internationalstandardpackages JEDECTO-268andJEDECTO-247AD ?Highcurrenthandlingcapability ?MOSGateturn-on -drivesimplicity ?RuggedNPTstructure ?MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclassification Applications ?Capacitordischa

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IXGH16N170A

HighVoltageIGBT

Features ?Highblockingvoltage ?Highcurrenthandlingcapability ?MOSGateturn-on-drivesimplicity ?RuggedNPTstructure ?MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclassification ?SONIC-FRDTMfastrecoverycopackdiode ?InternationalstandardpackagesJEDECTO-268andJEDECTO-

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IXGT16N170

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IXGT16N170

HighVoltageIGBT

HighVoltageIGBT Features ?Internationalstandardpackages JEDECTO-268andJEDECTO-247AD ?Highcurrenthandlingcapability ?MOSGateturn-on -drivesimplicity ?RuggedNPTstructure ?MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclassification Applications ?Capacitordischa

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IXGT16N170A

HighVoltageIGBT

Features ?Highblockingvoltage ?Highcurrenthandlingcapability ?MOSGateturn-on-drivesimplicity ?RuggedNPTstructure ?MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclassification ?SONIC-FRDTMfastrecoverycopackdiode ?InternationalstandardpackagesJEDECTO-268andJEDECTO-

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IXGT16N170A

HighVoltageIGBT

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IXGT16N170A

HighVoltageIGBT

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IXYH16N170C

HighVoltageXPTIGBT

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IXBT16N170A

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    BIMOSFET?

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    6V @ 15V，10A

  • 開關(guān)能量：

    1.2mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    15ns/160ns

  • 測(cè)試條件：

    1360V，10A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-268AA

  • 描述：

    IGBT 1700V 16A 150W TO268

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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23+
DIP18
6000
15年原裝正品企業(yè)
 詢價(jià)
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23+
TO-268
8600
全新原裝現(xiàn)貨
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TO-268
8866
詢價(jià)
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NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
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N/A
113
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公司只做原裝正品
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TO268
9000
原裝正品，支持實(shí)單
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更多IXBT16N170A供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-15 9:00:00

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