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IXDF602SIA

2-Ampere Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers

Clare

Clare, Inc.

IXDF602SIA

2A Peak Source/Sink Drive Current

IXYS

IXYS Corporation

IXDF602SIA

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬);包裝:管件 類別:集成電路(IC) 柵極驅動器 描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS Integrated Circuits Division

IXDF602SIATR

2-Ampere Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers

Clare

Clare, Inc.

IXDF602SIATR

2A Peak Source/Sink Drive Current

IXYS

IXYS Corporation

IXDF602SIATR

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬);包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別:集成電路(IC) 柵極驅動器 描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS Integrated Circuits Division

IXDF602SITR

2-AmpereDualLow-SideUltrafastMOSFETDrivers

Clare

Clare, Inc.

IXDF602SITR

2APeakSource/SinkDriveCurrent

IXYS

IXYS Corporation

IXDI602PI

2APeakSource/SinkDriveCurrent

IXYS

IXYS Corporation

IXDI602PI

2-AmpereDualLow-SideUltrafastMOSFETDrivers

Clare

Clare, Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IXDF602SIA

  • 制造商:

    IXYS Integrated Circuits Division

  • 類別:

    集成電路(IC) > 柵極驅動器

  • 包裝:

    管件

  • 驅動配置:

    低端

  • 通道類型:

    獨立式

  • 柵極類型:

    IGBT,N 溝道,P 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    4.5V ~ 35V

  • 邏輯電壓?- VIL,VIH:

    0.8V,3V

  • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):

    2A,2A

  • 輸入類型:

    反相,非反相

  • 上升/下降時間(典型值):

    7.5ns,6.5ns

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

  • 供應商器件封裝:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

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更多IXDF602SIA供應商 更新時間2025-1-31 8:50:00