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IXDH30N120	文件：94.32 Kbytes Page：4 Pages	High Voltage IGBT with optional Diode ShortCircuitSOACapabilitySquareRBSOA VCES=1200V IC25=60A VCE(sat)typ=2.4V Features ●NPTIGBTtechnology ●lowsaturationvoltage ●lowswitchinglosses ●squareRBSOA,nolatchup ●highshortcircuitcapability ●positivetemperaturecoefficientforeasyparalleling ●M	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXDH30N120	文件：89.51 Kbytes Page：4 Pages	High Voltage IGBT with optional Diode	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXDH30N120	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導體產品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 1200V 60A 300W TO247AD	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXDH30N120D1	文件：94.32 Kbytes Page：4 Pages	High Voltage IGBT with optional Diode ShortCircuitSOACapabilitySquareRBSOA VCES=1200V IC25=60A VCE(sat)typ=2.4V Features ●NPTIGBTtechnology ●lowsaturationvoltage ●lowswitchinglosses ●squareRBSOA,nolatchup ●highshortcircuitcapability ●positivetemperaturecoefficientforeasyparalleling ●M	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXDH30N120D1	文件：303.21 Kbytes Page：2 Pages	NPT IGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.9V@IC=30A ·HighSpeedSwitching ·LowPowerLoss APPLICATIONS ·IndustrialPowerSupplies ·IndustrialDrives ·SolarInverters	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
IXDH30N120D1	文件：89.51 Kbytes Page：4 Pages	High Voltage IGBT with optional Diode	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXDH30N120D1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導體產品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 1200V 60A 300W TO247AD	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXDR30N120	文件：69.09 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltageIGBTwithoptionalDiodeISOPLUSTMpackage HighVoltageIGBTwithoptionalDiodeISOPLUS?package(ElectricallyIsolatedBackSide) ShortCircuitSOACapability SquareRBSOA Features ?NPTIGBTtechnology -highswitchingspeed -lowswitchinglosses -squareRBSOA,nolatchup -highshortcircuitcapability -	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXDT30N120	文件：94.32 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltageIGBTwithoptionalDiode ShortCircuitSOACapabilitySquareRBSOA VCES=1200V IC25=60A VCE(sat)typ=2.4V Features ●NPTIGBTtechnology ●lowsaturationvoltage ●lowswitchinglosses ●squareRBSOA,nolatchup ●highshortcircuitcapability ●positivetemperaturecoefficientforeasyparalleling ●M	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXDT30N120	文件：89.51 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltageIGBTwithoptionalDiode	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFB30N120P	文件：147.92 Kbytes Page：5 Pages	PolarHiPerFETPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFL30N120P	文件：115.87 Kbytes Page：4 Pages	PolarPowerMOSFETHiPerFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFN30N120P	文件：114.6 Kbytes Page：4 Pages	PolarPowerMOSFETHiPerFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFN30N120P	文件：137.85 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGA30N120	文件：348.6 Kbytes Page：3 Pages	TrenchgateField-StopIGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=3.5V@IC=30A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·FrequencyConverters ·AirConditioning ·UPS,PFC ·MotorDrives	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
KGT30N120NDA	文件：592.77 Kbytes Page：8 Pages	Highspeedswitching	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
KGT30N120NDH	文件：593.17 Kbytes Page：8 Pages	Highspeedswitching	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
NGTB30N120IHLWG	文件：162.73 Kbytes Page：8 Pages	IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
NGTB30N120IHRWG	文件：182.02 Kbytes Page：10 Pages	IGBTwithMonolithicFreeWheelingDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
NGTB30N120IHSWG	文件：173.62 Kbytes Page：8 Pages	IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI

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產品屬性

產品編號：
IXDH30N120
制造商：
IXYS
類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
管件
IGBT 類型：
NPT
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.9V @ 15V，30A
開關能量：
4.6mJ（開），3.4mJ（關）
輸入類型：
標準
測試條件：
600V，30A，47 歐姆，15V
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-247-3
供應商器件封裝：
TO-247AD
描述：
IGBT 1200V 60A 300W TO247AD

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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