首頁 >IXFN30N120P>規(guī)格書列表

零件編號下載&訂購功能描述制造商&上傳企業(yè)LOGO

IXFN30N120P

Polar Power MOSFET HiPerFET

IXYS

IXYS Corporation

IXFN30N120P

Power MOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXFN30N120P_V01

Power MOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXGA30N120

TrenchgateField-StopIGBT

DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=3.5V@IC=30A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·FrequencyConverters ·AirConditioning ·UPS,PFC ·MotorDrives

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

KGT30N120NDA

Highspeedswitching

KECKEC CORPORATION

KEC株式會社

KGT30N120NDH

Highspeedswitching

KECKEC CORPORATION

KEC株式會社

NGTB30N120IHLWG

IGBT

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NGTB30N120IHRWG

IGBTwithMonolithicFreeWheelingDiode

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NGTB30N120IHSWG

IGBT

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NGTB30N120LWG

IGBT

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

RLPGB30N120CT

IGBT

Features 1200V,30A VCE(sat)(typ.)=2.2V@VGE=15V,IC=30A Highspeedswitching Highersystemefficiency Softcurrentturn-offwaveforms SquareRBSOAusingNPTtechnology GeneralDescription NPTIGBTsofferlowerlossesandhigherenergy efficiencyforapplicationsuchasIH(inductionheati

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

RLPGB30N120LCT

IGBT

Features 1200V,30A VCE(sat)(typ.)=2.2V@VGE=15V,IC=30A Highspeedswitching Highersystemefficiency Softcurrentturn-offwaveforms SquareRBSOAusingNPTtechnology GeneralDescription NPTIGBTsofferlowerlossesandhigherenergy efficiencyforapplicationsuchasIH(inductionheati

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

SCT30N120

Lowcapacitance

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STGW30N120KD

30A-1200V-shortcircuitruggedIGBT

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STGW30N120KD

30A,1200VshortcircuitruggedIGBTwithUltrafastdiode

Features ■Lowon-losses ■Highcurrentcapability ■Lowgatecharge ■Shortcircuitwithstandtime10μs ■IGBTco-packagedwithUltrafastfree-wheeling diode Applications ■Motorcontrol Description Thishighvoltageandshort-circuitruggedIGBT utilizestheadvancedPowerMESH?p

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STGWA30N120KD

30A,1200VshortcircuitruggedIGBTwithUltrafastdiode

Features ■Lowon-losses ■Highcurrentcapability ■Lowgatecharge ■Shortcircuitwithstandtime10μs ■IGBTco-packagedwithUltrafastfree-wheeling diode Applications ■Motorcontrol Description Thishighvoltageandshort-circuitruggedIGBT utilizestheadvancedPowerMESH?p

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IXFN30N120P

  • 功能描述：

    MOSFET 30 Amps 1200V 0.35 Rds

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
24+
SOT-227B
30000
晶體管-分立半導體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價
IXYS
19+/20+
SOT-227B
1000
主打產(chǎn)品價格優(yōu)惠.全新原裝正品
 詢價
IXYS/艾賽斯
23+
SOT-227
59620
原裝正品 華強現(xiàn)貨
 詢價
IXYS
23+
MOSFETN-CH1200V30ASOT-22
1690
專業(yè)代理銷售半導體模塊,能提供更多數(shù)量
 詢價
IXYS
2023+
MODULE
80000
一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
 詢價
IXYS
24+
MODULE
2050
公司大量全新原裝 正品 隨時可以發(fā)貨
 詢價
IXYS
24+
SOT227
265
詢價
IXYS
1931+
N/A
18
加我qq或微信，了解更多詳細信息,體驗一站式購物
 詢價
IXYS
1809+
SOT-227
96
就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!
 詢價
IXYS
22+
NA
18
加我QQ或微信咨詢更多詳細信息,
 詢價
更多IXFN30N120P供應商 更新時間2024-12-31 17:05:00

相關規(guī)格書

更多

相關庫存

更多