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IXYH16N170C

High Voltage XPT IGBT

IXYS

IXYS Corporation

IXYH16N170C

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1.7KV 40A TO247

IXYS

IXYS Corporation

IXYH16N170CV1

High Voltage XPT IGBT w/ Diode

IXYS

IXYS Corporation

IXYH16N170CV1

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1.7KV 40A TO247

IXYS

IXYS Corporation

IXBA16N170AHV

HighVoltage,HighGainBIMOSFETTMMonolithicBipolarMOSTransistor

Features ?HighVoltagePackage ?HighBlockingVoltage ?Anti-ParallelDiode ?LowConductionLosses Advantages ?LowGateDriveRequirement ?HighPowerDensity Applications: ?Switch-ModeandResonant-ModePowerSupplies ?UninterruptiblePowerSupplies(UPS) ?LaserGenerators ?Ca

IXYS

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IXBH16N170

HighVoltage,HighGainBIMOSFETTMMonolithicBipolarMOSTransistor

Features ?HighBlockingVoltage ?JEDECTO-268surfaceandJEDECTO-247AD ?Lowconductionlosses ?Highcurrenthandlingcapability ?MOSGateturn-on -drivesimplicity ?MoldingepoxiesmeetUL94V-0 flammabilityclassification Applications ?ACmotorspeedcontrol ?Uninter

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IXYS Corporation

IXBH16N170A

HighVoltage,HighGainBIMOSFETMonolithicBipolarMOSTransistor

Features ?Monolithicfastreversediode ?HighBlockingVoltage ?JEDECTO-268surfacemountandJEDECTO-247ADpackages ?Lowswitchinglosses ?Highcurrenthandlingcapability ?MOSGateturn-on -drivesimplicity ?MoldingepoxiesmeetUL94V-0 flammabilityclassification Appl

IXYS

IXYS Corporation

IXBT16N170

HighVoltage,HighGainBIMOSFETTMMonolithicBipolarMOSTransistor

Features ?HighBlockingVoltage ?JEDECTO-268surfaceandJEDECTO-247AD ?Lowconductionlosses ?Highcurrenthandlingcapability ?MOSGateturn-on -drivesimplicity ?MoldingepoxiesmeetUL94V-0 flammabilityclassification Applications ?ACmotorspeedcontrol ?Uninter

IXYS

IXYS Corporation

IXBT16N170A

HighVoltage,HighGainBIMOSFETMonolithicBipolarMOSTransistor

Features ?Monolithicfastreversediode ?HighBlockingVoltage ?JEDECTO-268surfacemountandJEDECTO-247ADpackages ?Lowswitchinglosses ?Highcurrenthandlingcapability ?MOSGateturn-on -drivesimplicity ?MoldingepoxiesmeetUL94V-0 flammabilityclassification Appl

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IXYS Corporation

IXBT16N170AHV

HighVoltage,HighGainBIMOSFETTMMonolithicBipolarMOSTransistor

Features ?HighVoltagePackage ?HighBlockingVoltage ?Anti-ParallelDiode ?LowConductionLosses Advantages ?LowGateDriveRequirement ?HighPowerDensity Applications: ?Switch-ModeandResonant-ModePowerSupplies ?UninterruptiblePowerSupplies(UPS) ?LaserGenerators ?Ca

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IXYH16N170C

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    XPT?

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    3.8V @ 15V，16A

  • 開關能量：

    2.1mJ（開），1.5mJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    11ns/140ns

  • 測試條件：

    850V，16A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-247（IXYH）

  • 描述：

    IGBT 1.7KV 40A TO247

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
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TO-247-3
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晶體管-分立半導體產(chǎn)品-原裝正品
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更多IXYH16N170C供應商 更新時間2025-3-13 14:14:00

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