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IXDH20N120

High Voltage IGBT with optional Diode

HighVoltageIGBTwithoptionalDiode ShortCircuitSOACapabilitySquareRBSOA Features ●NPTIGBTtechnology ●lowsaturationvoltage ●lowswitchinglosses ●squareRBSOA,nolatchup ●highshortcircuitcapability ●positivetemperaturecoefficientfor easyparalleling ●MOSinpu

IXYS

IXYS Corporation

IXDH20N120

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導體產品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1200V 38A 200W TO247AD

IXYS

IXYS Corporation

IXDH20N120D1

High Voltage IGBT with optional Diode

HighVoltageIGBTwithoptionalDiode ShortCircuitSOACapabilitySquareRBSOA Features ●NPTIGBTtechnology ●lowsaturationvoltage ●lowswitchinglosses ●squareRBSOA,nolatchup ●highshortcircuitcapability ●positivetemperaturecoefficientfor easyparalleling ●MOSinpu

IXYS

IXYS Corporation

IXDH20N120D1

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導體產品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1200V 38A 200W TO247AD

IXYS

IXYS Corporation

IXER20N120

NPT3IGBTinISOPLUS247

IXYS

IXYS Corporation

IXFK20N120

HiPerFETPowerMOSFETs

IXYS

IXYS Corporation

IXFK20N120

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.75Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IXFK20N120P

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.57Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IXFK20N120P

PolarPowerMOSFETHiPerFET

IXYS

IXYS Corporation

IXFN20N120

HiPerFETPowerMOSFETs

HiPerFETPowerMOSFETs N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,Highdv/dt,Lowtrr Features ?Internationalstandardpackage ?miniBLOC,withAluminiumnitrideisolation ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated

IXYS

IXYS Corporation

產品屬性

  • 產品編號：

    IXDH20N120

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    3V @ 15V，20A

  • 開關能量：

    3.1mJ（開），2.4mJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 測試條件：

    600V，20A，82 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-247AD

  • 描述：

    IGBT 1200V 38A 200W TO247AD

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
24+
TO-247-3
30000
晶體管-分立半導體產品-原裝正品
 詢價
IXYS/艾賽斯
17+
TO-247
31518
原裝正品 可含稅交易
 詢價
IXYS
23+
DIP18
6000
15年原裝正品企業(yè)
 詢價
24+
8866
詢價
IXYS
23+
TO-247
8600
全新原裝現貨
 詢價
IXYS
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
 詢價
IXYS
22+23+
TO-247
30669
絕對原裝正品全新進口深圳現貨
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IXYS
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公司大量全新現貨 隨時可以發(fā)貨
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IXYS
1931+
N/A
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IXYS
1809+
TO-247
326
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更多IXDH20N120供應商 更新時間2025-3-13 19:06:00

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