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IXBX25N250

High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor

Features ?HighBlockingVoltage ?InternationalStandardPackage ?LowConductionLosses Advantages ?LowGateDriveRequirement ?HighPowerDensity Applications ?Switch-ModeandResonant-ModePowerSupplies ?UninterruptiblePowerSupplies(UPS) ?LaserGenerator ?CapacitorDischar

IXYS

IXYS Corporation

IXBX25N250

Package:TO-247-3 變式;包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 2500V 55A 300W PLUS247

IXYS

IXYS Corporation

IXGF25N250

HighVoltageIGBTForCapacitorDischargeApplications

IXYS

IXYS Corporation

IXGH25N250

HighVoltageIGBTForCapacitorDischargeApplications

IXYS

IXYS Corporation

IXGT25N250

HighVoltageIGBTForCapacitorDischargeApplications

IXYS

IXYS Corporation

IXGV25N250S

HighVoltageIGBTForCapacitorDischargeApplications

IXYS

IXYS Corporation

IXYH25N250CHV

HighVoltageXPTIGBT

IXYS

IXYS Corporation

IXYT25N250CHV

HighVoltageXPTIGBT

IXYS

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IXBX25N250

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    BIMOSFET?

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    3.3V @ 15V,25A

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3 變式

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PLUS247?-3

  • 描述:

    IGBT 2500V 55A 300W PLUS247

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
IXYS
24+
TO-247-3
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
詢價(jià)
IXYS
23+
DIP18
6000
15年原裝正品企業(yè)
詢價(jià)
IXYS
1931+
N/A
109
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詢價(jià)
IXYS
1809+
TO-247
326
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詢價(jià)
IXYS
22+
NA
109
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詢價(jià)
IXYS
22+
PLUS247?3
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
詢價(jià)
IXYS
23+
PLUS247?3
9000
原裝正品,支持實(shí)單
詢價(jià)
IXYS
2022+
PLUS247?-3
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
詢價(jià)
IXYS(艾賽斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾賽斯)全系列在售
詢價(jià)
IXYS(艾賽斯)
21+
N/A
4899
全新原裝虧本出
詢價(jià)
更多IXBX25N250供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-28 14:14:00