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IXGT25N250

High Voltage IGBT For Capacitor Discharge Applications

IXYS

IXYS Corporation

IXGT25N250HV

Package:TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA;包裝:卷帶(TR) 類別:分立半導體產品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:DISC IGBT NPT-VERY HI VOLTAGE TO

IXYS

IXYS Corporation

IXGT25N250-T/R

Package:TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA;包裝:卷帶(TR) 類別:分立半導體產品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IXGT25N250

IXYS

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IXBX25N250

HighVoltage,HighGainBIMOSFETMonolithicBipolarMOSTransistor

Features ?HighBlockingVoltage ?InternationalStandardPackage ?LowConductionLosses Advantages ?LowGateDriveRequirement ?HighPowerDensity Applications ?Switch-ModeandResonant-ModePowerSupplies ?UninterruptiblePowerSupplies(UPS) ?LaserGenerator ?CapacitorDischar

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IXGF25N250

HighVoltageIGBTForCapacitorDischargeApplications

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IXGH25N250

HighVoltageIGBTForCapacitorDischargeApplications

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IXGV25N250S

HighVoltageIGBTForCapacitorDischargeApplications

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IXYH25N250CHV

HighVoltageXPTIGBT

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IXYT25N250CHV

HighVoltageXPTIGBT

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詳細參數

  • 型號:

    IXGT25N250

  • 功能描述:

    IGBT 晶體管

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封裝/箱體:

    TO-247

  • 封裝:

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS(艾賽斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾賽斯)全系列在售
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IXYS/LITTELFUSE
2023
TO-268
6230
原廠代理渠道,正品保障
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53000
一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇
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IXYS
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TO-268-3 D?Pak(2 引線 + 接片
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獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經營 免費試樣正品保證
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IXYS
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IXYS
1809+
TO-268
326
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IXYS/艾賽斯
23+
TO268
10000
公司只做原裝正品
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IXYS
22+
NA
18
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更多IXGT25N250供應商 更新時間2025-2-2 11:00:00