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IXBF42N300

High Voltage, BiMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor

Features ●SiliconChiponDirect-CopperBond(DCB)Substrate ●IsolatedMountingSurface ●3000V~ElectricalIsolation ●HighBlockingVoltage ●HighPeakCurrentCapability ●LowSaturationVoltage ●FBSOARated ●SCSOARated Advantages ●LowGateDriveRequirement ●HighPowerDensit

IXYS

IXYS Corporation

IXBF42N300

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：i4-Pac?-5（3 引線） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 3000V TO247

IXYS

IXYS Corporation

IXBH42N300HV

HighVoltage,BiMOSFETTMMonolithicBipolarMOSTransistor

Features ?HighVoltagePackage ?HighBlockingVoltage ?HighPeakCurrentCapability ?LowSaturationVoltage ?FBSOA ?SCSOA Advantages ?LowGateDriveRequirement ?HighPowerDensity Applications ?LaserGenerators ?CapacitorDischargeCircuits ?ACSwitches ?ProtectionCircu

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IXYS Corporation

IXBT42N300HV

HighVoltage,BiMOSFETTMMonolithicBipolarMOSTransistor

Features ?HighVoltagePackage ?HighBlockingVoltage ?HighPeakCurrentCapability ?LowSaturationVoltage ?FBSOA ?SCSOA Advantages ?LowGateDriveRequirement ?HighPowerDensity Applications ?LaserGenerators ?CapacitorDischargeCircuits ?ACSwitches ?ProtectionCircu

IXYS

IXYS Corporation

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IXBF42N300

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    BIMOSFET?

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    3V @ 15V，42A

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    72ns/445ns

  • 測試條件：

    1500V，42A，20 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    i4-Pac?-5（3 引線）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    ISOPLUS i4-PAC?

  • 描述：

    IGBT 3000V TO247

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
23+
DIP18
6000
15年原裝正品企業(yè)
 詢價
IXYS
1931+
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i4-PAC
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NA
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IXYS
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ISOPLUS i4PAC?
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價
IXYS
23+
ISOPLUS i4PAC?
9000
原裝正品，支持實單
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IXYS
2022+
ISOPLUS i4-PAC?
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
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IXYS(艾賽斯)
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7500
IXYS(艾賽斯)全系列在售
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24+
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52000
一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇
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IXYS/LITTELFUSE
2023
i4-PAC
2325
原廠代理渠道,正品保障
 詢價
更多IXBF42N300供應(yīng)商 更新時間2025-1-13 15:01:00

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