首頁>IXDP35N60B>芯片詳情

IXDP35N60B 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 IXYS

IXDP35N60B參考圖片

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號：

    IXDP35N60B

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    IXYS

  • 庫存數(shù)量：

    6000

  • 產(chǎn)品封裝：

    DIP18

  • 生產(chǎn)批號：

    23+

  • 庫存類型：

    優(yōu)勢庫存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-11 15:00:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：IXDP35N60B品牌：IXYS

15年原裝正品企業(yè)

IXDP35N60B是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商IXYS生產(chǎn)封裝DIP18/TO-220-3的IXDP35N60B晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    IXDP35N60B

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    IXYS詳情

  • 廠商全稱：

    IXYS Corporation

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    4 頁

  • 文件大?。?/span>

    101.3 kb

  • 資料說明：

    IGBT with optional Diode

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    IXDP35N60B

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.7V @ 15V，35A

  • 開關(guān)能量：

    1.6mJ（開），800μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 測試條件：

    300V，35A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220-3

  • 描述：

    IGBT 600V 60A 250W TO220AB

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    張潔

  • 手機(jī)：

    19168961949

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    19168961949

  • 傳真：

    0755-83998525

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道福強(qiáng)社區(qū)華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座、B座A座20層2028室

相近型號