訂購數(shù)量 | 價格 |
---|---|
1+ |
首頁>IXDT30N120>芯片詳情
IXDT30N120 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 IXYS
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
原廠料號:IXDT30N120品牌:IXYS
15年原裝正品企業(yè)
IXDT30N120是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商IXYS生產(chǎn)封裝DIP18/TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA的IXDT30N120晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號:
IXDT30N120
- 制造商:
IXYS
- 類別:
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
NPT
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.9V @ 15V,30A
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-268AA
- 描述:
IGBT 1200V 60A 300W TO268AA
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
張潔
- 手機:
19168961949
- 詢價:
- 電話:
19168961949
- 傳真:
0755-83998525
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強北街道福強社區(qū)華強北路1016號寶華大廈A座、B座A座20層2028室
相近型號
- IXE5216EC.C0
- IXDR30N120D1
- IXE5216ECCO
- IXDR30N120
- IXE5416ECA2
- IXDP631PI
- IXDP630PIG
- IXE611P1
- IXE611S1
- IXDP630PI
- IXE611S1T/R
- IXDP610PI
- IXEH25N120
- IXDP35N60B
- IXEH25N120D1
- IXDP20N60BD1
- IXDP20N60B
- IXEH40N120
- IXEH40N120D1
- IXDN75N120
- IXDN630YI
- IXEL40N400
- IXDN630MYI
- IXEN60N120
- IXDN630MCI
- IXDN630CI
- IXEN60N120D1
- IXER35N120D1
- IXDN614YI
- IXDN614SITR
- IXDN614SIA
- IXER60N120
- IXDN614SI
- IXF1002EC
- IXF1002ED
- IXDN614PI
- IXF1104CEA0
- IXDN614CI
- IXF1104CEBO
- IXDN609YI
- IXDN609SITR
- IXF1110CC
- IXF30005
- IXDN609SIATR
- IXF6012EEB1
- IXDN609SIA
- IXF611P1
- IXDN609SI
- IXF611S1
- IXDN609PI