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IXFH6N120P中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IXFH6N120P
廠商型號

IXFH6N120P

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件大小

389.48 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-10 17:40:00

IXFH6N120P規(guī)格書詳情

FEATURES

·Drain Current : ID= 6.0A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage

: VDSS= 1200V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

: RDS(on) = 2.75Ω(Max) @ VGS= 10V

·100 avalanche tested

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

DESCRIPTION

·motor drive, DC-DC converter, power switch

and solenoid drive.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IXFH6N120P

  • 功能描述:

    MOSFET POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

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