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IXFH80N10Q中文資料IXYS數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IXFH80N10Q
廠商型號

IXFH80N10Q

功能描述

HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

文件大小

55.78 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-12-23 20:00:00

IXFH80N10Q規(guī)格書詳情

VDSS = 100 V

ID25 = 80 A

RDS(on) = 15 m?

trr≤ 200ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, High dV/dt

Low Gate Charge and Capacitances

Features

? IXYS advanced low gate charge process

? International standard packages

? Low gate charge and capacitance

- easier to drive

- faster switching

? Low RDS (on)

? Unclamped Inductive Switching (UIS) rated

? Molding epoxies meet UL94V-0

flammability classification

Advantages

? Easy to mount

? Space savings

? High power density

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IXFH80N10Q

  • 功能描述:

    MOSFET 100V 80A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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