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IXFH80N10Q	文件：55.78 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class VDSS=100V ID25=80A RDS(on)=15m? trr≤200ns N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,HighdV/dt LowGateChargeandCapacitances Features ?IXYSadvancedlowgatechargeprocess ?Internationalstandardpackages ?Lowgatechargeandcapacitance -ea	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH80N10Q	文件：372.7 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=15mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFT80N10	文件：93.07 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs VDSS=100V ID25=80A RDS(on)=12.5m? trr≤200ns N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,Highdv/dt Features Internationalstandardpackages LowRDS(on) RatedforunclampedInductiveloadswitching(UIS) MoldingepoxiesmeetUL94V-0 flammabilit	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFT80N10Q	文件：55.78 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsQ-Class VDSS=100V ID25=80A RDS(on)=15m? trr≤200ns N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,HighdV/dt LowGateChargeandCapacitances Features ?IXYSadvancedlowgatechargeprocess ?Internationalstandardpackages ?Lowgatechargeandcapacitance -ea	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTA80N10T	文件：190.48 Kbytes Page：5 Pages	TrenchMVTMPowerMOSFET VDSS=100V ID25=80A RDS(on)≤14mΩ N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features InternationalStandardPackages 175°COperatingTemperature AvalancheRated HighCurrentHandlingCapability FastIntrinsicDiode LowRDS(on)	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTA80N10T	文件：294.45 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTP80N10T	文件：245.69 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTP80N10T	文件：190.48 Kbytes Page：5 Pages	TrenchMVTMPowerMOSFET VDSS=100V ID25=80A RDS(on)≤14mΩ N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features InternationalStandardPackages 175°COperatingTemperature AvalancheRated HighCurrentHandlingCapability FastIntrinsicDiode LowRDS(on)	IXYS IXYS Corporation	IXYS
JCS80N10CF-O-C-N-B	文件：619.33 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS80N10F	文件：619.33 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS80N10FF-O-F-N-B	文件：619.33 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS80N10SF-O-S-N-A	文件：619.33 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS80N10SF-O-S-N-B	文件：619.33 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS80N10WF-O-W-N-B	文件：619.33 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
SFF80N10M	文件：47.76 Kbytes Page：2 Pages	55AMP(note1)/100Volts12mON-ChannelTrenchGateMOSFET	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SFF80N10Z	文件：47.76 Kbytes Page：2 Pages	55AMP(note1)/100Volts12mON-ChannelTrenchGateMOSFET	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SPB80N10L	文件：108.75 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSPower-Transistor Feature N-Channel Enhancementmode LogicLevel 175°Coperatingtemperature Avalancherated dv/dtrated	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPI80N10L	文件：108.75 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSPower-Transistor Feature N-Channel Enhancementmode LogicLevel 175°Coperatingtemperature Avalancherated dv/dtrated	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPP80N10L	文件：108.75 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSPower-Transistor Feature N-Channel Enhancementmode LogicLevel 175°Coperatingtemperature Avalancherated dv/dtrated	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
UTT80N10	文件：130.9 Kbytes Page：3 Pages	80A,100VN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTCUTT80N10isanN-channelpowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidethecustomerswithperfectRDS(ON),highswitchingspeed,highcurrentcapacityandlowgatecharge. TheUTCUTT80N10issuitableforDC-DCconverters,Off-LineUPS,HighVoltageSynchronous	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IXFH80N10Q
功能描述：
MOSFET 100V 80A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳和潤(rùn)天下電子科技有限公司	IXFH80N10Q	IXYS/艾賽斯	23+	TO-247	52388	原裝正品華強(qiáng)現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IXFH80N10Q	IXYS	24+		5208		詢價(jià)
深圳市凌旭科技有限公司	IXFH80N10Q	IXYS	2016+	TO247	3000	只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!	詢價(jià)
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	IXFH80N10Q	IXYS	23+	TO-3P	5000	原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
深圳市亞泰盈科電子有限公司	IXFH80N10Q	IXYS		TO247	37526	只做原裝貨值得信賴	詢價(jià)
深圳市華來(lái)深電子有限公司	IXFH80N10Q	I	23+	TO-247	8650	受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣!	詢價(jià)
深圳市華斯頓科技有限公司	IXFH80N10Q	IXYS	22+23+	TO247	12975	絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳兆威電子有限公司	IXFH80N10Q	IXYS/艾賽斯	22+	TO247	29977	原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	IXFH80N10Q	IXYS	20+	TO-247	36900	原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票	詢價(jià)
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更多IXFH80N10Q供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-31 8:30:00

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