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IXFK360N10T

GigaMOS Trench HiperFET Power MOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXFK360N10T

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXFN360N10T

GigaMOSTrenchHiperFETPowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXFX360N10T

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXFX360N10T

GigaMOSTrenchHiperFETPowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    IXFK360N10T

  • 功能描述:

    MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 360A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
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晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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更多IXFK360N10T供應(yīng)商 更新時間2025-2-2 10:12:00